據(jù)報道，國內(nèi)NAND閃存領軍企業(yè)長江存儲(YMTC)正計劃大幅擴張其制造版圖。除了今年即將完工的第三座晶圓廠外，該公司還計劃再增建兩座新廠。這三座新工廠全部建成并全面投產(chǎn)后，將使公司總產(chǎn)能在當前基礎上實現(xiàn)超過一倍的躍升。

　　目前，長江存儲擁有兩座已投入量產(chǎn)的晶圓廠，其合計月產(chǎn)能已達20萬片。新建的三座工廠均計劃部署更為先進的制造工藝，每座工廠的單體月產(chǎn)能預計均可達10萬片，為現(xiàn)有產(chǎn)能結(jié)構(gòu)提供有力補充。

　　據(jù)悉，新建的第三工廠選址湖北武漢，與現(xiàn)有兩座工廠位于同一生產(chǎn)基地。該廠區(qū)大樓現(xiàn)已竣工，正處于關(guān)鍵的設備安裝調(diào)試階段。值得一提的是，超過一半的產(chǎn)線設備來自國內(nèi)供應商，其中更是包含了用于實現(xiàn)芯片層垂直堆疊的核心關(guān)鍵設備，展現(xiàn)出國內(nèi)半導體設備產(chǎn)業(yè)鏈的日益成熟。

　　據(jù)業(yè)內(nèi)消息披露，新建的三座工廠均將在未來規(guī)劃中為DRAM產(chǎn)品預留一部分產(chǎn)能。不過，具體的DRAM產(chǎn)能分配比例，將最終取決于長江存儲在相關(guān)芯片技術(shù)上的研發(fā)與量產(chǎn)進展。

　　來自Counterpoint的市場追蹤數(shù)據(jù)顯示，長江存儲的全球影響力持續(xù)攀升。截至2025年第三季度，該公司在全球NAND閃存市場的出貨量份額首次突破13%，直接對第四名的美光科技構(gòu)成有力沖擊。隨著產(chǎn)能建設的穩(wěn)步推進，其年產(chǎn)量預計將從2025年的177萬片增長到2026年的近200萬片。

　　此外，長江存儲在先進技術(shù)節(jié)點上也取得了重要突破。其基于Xtacking 4.0架構(gòu)研發(fā)的294層3D TLC NAND已成功進入量產(chǎn)階段，該產(chǎn)品的存儲密度達到20Gb/mm²，讀寫速度超過7000MB/s，生產(chǎn)良率更已突破90%。這些關(guān)鍵性能指標均已達到并部分超越了國際主流產(chǎn)品的技術(shù)水平。