據(jù)報道，國內(nèi)NAND閃存制造企業(yè)中規(guī)模領(lǐng)先的長江存儲正推進(jìn)擴(kuò)建計劃。該公司將在預(yù)計今年完工的一座晶圓廠基礎(chǔ)上，增建兩座全新廠房，待三廠全面投產(chǎn)后，整體產(chǎn)能有望實現(xiàn)翻倍以上增長。
目前長江存儲運營兩座晶圓廠，合計月產(chǎn)能為20萬片晶圓。規(guī)劃中的三座新廠每月均可貢獻(xiàn)10萬片晶圓產(chǎn)量，第三家工廠選址武漢，與前兩家廠區(qū)同址，預(yù)計今年晚些時候投入運營。廠房主體已完工，當(dāng)前階段正進(jìn)行設(shè)備安裝調(diào)試。
值得關(guān)注的是，該新建產(chǎn)線中超過50%的設(shè)備來自國內(nèi)供應(yīng)商，其中包括用于芯片垂直堆疊的關(guān)鍵工藝設(shè)備。三座新廠均將安排部分產(chǎn)能用于DRAM芯片制造，具體產(chǎn)量將視長江存儲在DRAM產(chǎn)品研發(fā)進(jìn)展動態(tài)調(diào)整。
市場調(diào)研機構(gòu)Counterpoint統(tǒng)計顯示，2025年第三季度長江存儲全球NAND出貨量份額首度突破13%，已接近排名全球第四的美光科技。隨著三期項目全面投產(chǎn)，公司年產(chǎn)能預(yù)計將從2025年的177萬片提升至2026年的近200萬片。
此外，長江存儲基于Xtacking 4.0架構(gòu)的294層3D TLC NAND已進(jìn)入量產(chǎn)階段，其存儲密度達(dá)到20Gb/mm²，讀寫速度突破7000MB/s，產(chǎn)品良率超過90%，核心性能指標(biāo)已與國際主流產(chǎn)品看齊。
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