近日，在中國存儲巨頭長鑫存儲的一則低價策略沖擊下，全球內(nèi)存市場陷入了激烈的多空拉鋸。據(jù)報道，該公司針對32GB DDR4-3200 ECC內(nèi)存模組報出了 ‌138美元‌ 的“破盤價”，僅相當(dāng)于當(dāng)前國際市場主流價格300至400美元的‌三分之一左右‌，瞬間在全球范圍內(nèi)引發(fā)震動。

　　這一遠低于市價的報價直接點燃了市場對產(chǎn)業(yè)將重返慘烈競爭的憂慮。投資者用腳投票，直接導(dǎo)致此前有所回暖的內(nèi)存板塊股價普遍承壓。其中，DRAM產(chǎn)業(yè)的華邦電與南亞科首當(dāng)其沖，當(dāng)日分別暴跌9.05%和5.61%;此外，群聯(lián)、品安、晶豪科、至上、威剛、宇瞻及華東等個股的跌幅均超過5%，市場恐慌情緒顯而易見。

　　全球內(nèi)存市場波動加劇，源于其內(nèi)部正經(jīng)歷結(jié)構(gòu)性變革。在AI運算需求爆發(fā)式增長的驅(qū)動下，市場自2025年底已進入新一輪超級上漲循環(huán)，導(dǎo)致多款電子產(chǎn)品在2026年的生產(chǎn)計劃均被打亂。借此行業(yè)機遇，以長鑫存儲、長江存儲為代表的中國廠商正加快布局，力圖搶占更大市場份額。

　　長鑫存儲擴產(chǎn)步伐尤為迅猛。公司已決定加速擴建上海廠區(qū)，其設(shè)計規(guī)模將達到合肥總部的2到3倍，主攻服務(wù)器、個人電腦及車用電子所需的DRAM產(chǎn)品。按規(guī)劃，新廠區(qū)將于‌2026年下半年啟動設(shè)備裝機，并在2027年正式投產(chǎn)‌。

　　與此同時，長江存儲也有新動作。其武漢三期項目的量產(chǎn)時間有望從原計劃的2027年‌提前至2026年下半年‌。更重要的是，該公司調(diào)整了發(fā)展戰(zhàn)略，計劃將新廠大約‌50%的產(chǎn)能用于生產(chǎn)DRAM產(chǎn)品‌，從而開啟NAND與DRAM兩大領(lǐng)域并行發(fā)展的新階段。

　　行業(yè)分析機構(gòu)Yole Group的亞洲區(qū)主管Gary Huang對此評論道，持續(xù)吃緊的全球內(nèi)存供給為后起廠商創(chuàng)造了難得的市場契機。加之中國本土強有力的政策支持，使得越來越多的客戶主動尋找替代性供應(yīng)來源，這不僅為中國存儲企業(yè)提供了增長新動能，也將深刻重塑全球存儲器市場的競爭格局。