根據(jù)市調(diào)機(jī)構(gòu)TrendForce發(fā)布的最新預(yù)測(cè)，2026年第二季度全球存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)漲價(jià)趨勢(shì)將全面加劇。DRAM和NAND Flash兩大主流芯片的合約價(jià)預(yù)計(jì)將大幅上揚(yáng)，其主要驅(qū)動(dòng)因素是人工智能(AI)及數(shù)據(jù)中心需求的持續(xù)爆發(fā)，導(dǎo)致原廠將大量產(chǎn)能轉(zhuǎn)向高端產(chǎn)品，進(jìn)而擠壓了其他消費(fèi)領(lǐng)域的供應(yīng)。

　　‌各產(chǎn)品線(xiàn)預(yù)計(jì)漲幅如下：‌

　　‌DRAM(動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)‌：預(yù)計(jì)所有類(lèi)型的DRAM芯片合約價(jià)在第二季度環(huán)比增長(zhǎng)‌58%-63%‌。

　　‌NAND Flash(閃存)‌：預(yù)計(jì)全產(chǎn)品線(xiàn)整體合約價(jià)格環(huán)比上漲‌70%-75%‌。

　　‌漲價(jià)背后的關(guān)鍵原因包括：‌

　　‌產(chǎn)能被高端需求虹吸‌：存儲(chǔ)芯片制造商正積極將產(chǎn)能優(yōu)先分配給利潤(rùn)更高的AI服務(wù)器用存儲(chǔ)芯片(如高帶寬存儲(chǔ)器HBM和服務(wù)器DRAM)。同時(shí)，PC、手機(jī)等消費(fèi)電子產(chǎn)品所需的存儲(chǔ)芯片供給則受到大幅擠壓。

　　‌供應(yīng)鏈結(jié)構(gòu)性緊缺‌：

　　‌PC DRAM‌：盡管整機(jī)市場(chǎng)需求有調(diào)整跡象，但由于原廠供貨量主動(dòng)縮減，PC制造商仍需加價(jià)采購(gòu)。

　　‌服務(wù)器DRAM‌：尤其在大容量RDIMM規(guī)格上，因北美云服務(wù)提供商對(duì)AI推理服務(wù)器的需求旺盛，成為原廠獲利核心，短期內(nèi)供需極度緊張。

　　‌消費(fèi)級(jí)DRAM‌：圖形和通用消費(fèi)級(jí)DRAM同樣面臨供應(yīng)不足，甚至部分存儲(chǔ)器模塊的成本已高于整塊消費(fèi)品的售價(jià)。

　　‌NAND Flash市場(chǎng)連鎖反應(yīng)‌：

　　制造商通過(guò)升級(jí)制程和提高QLC(四層單元)閃存比例來(lái)增加產(chǎn)出的效果有限。

　　AI服務(wù)器市場(chǎng)對(duì)高速企業(yè)級(jí)固態(tài)硬盤(pán)(SSD)的需求極為強(qiáng)勁，導(dǎo)致相關(guān)訂單持續(xù)增長(zhǎng)。產(chǎn)能吃緊的局面預(yù)計(jì)將持續(xù)至2027年底至2028年新產(chǎn)能大規(guī)模開(kāi)出的時(shí)期。

　　低利潤(rùn)的eMMC/UFS等嵌入式存儲(chǔ)產(chǎn)品，由于與利潤(rùn)更高的企業(yè)級(jí)SSD使用相似制程，其供應(yīng)短缺尤為嚴(yán)重。

　　PC和智能手機(jī)廠商為了控制整機(jī)成本，已開(kāi)始考慮或執(zhí)行削減設(shè)備存儲(chǔ)容量的策略。

　　‌總結(jié)與展望‌

　　TrendForce報(bào)告指出，AI算力競(jìng)賽已從最高端的HBM內(nèi)存向整個(gè)存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)鏈傳導(dǎo)，引發(fā)全面的產(chǎn)能排擠效應(yīng)。分析師預(yù)測(cè)，這種由AI需求主導(dǎo)的全行業(yè)價(jià)格普漲局面，在2026年內(nèi)將很難得到逆轉(zhuǎn)。