得益于人工智能熱潮的持續(xù)推動(dòng),高帶寬內(nèi)存(HBM)近年發(fā)展迅猛,迭代加速,已成為最炙手可熱的DRAM技術(shù)之一。此前,SK海力士就因向英偉達(dá)大量供應(yīng)HBM3與HBM3E,一度在DRAM市場(chǎng)領(lǐng)先三星。

近期有消息稱,三星正在開發(fā)一種獨(dú)特的封裝方案,旨在讓智能手機(jī)、平板電腦等移動(dòng)設(shè)備也能搭載HBM芯片,從而打造高性能的AI終端產(chǎn)品。
傳統(tǒng)移動(dòng)DRAM多采用銅線鍵合技術(shù),其I/O引腳數(shù)量通常限于128至256個(gè),雖有利于能效提升與發(fā)熱控制,但也帶來了較高的信號(hào)損耗。為此,三星計(jì)劃引入超高長(zhǎng)寬比銅柱,并結(jié)合扇出型晶圓級(jí)封裝(FOWLP),以增強(qiáng)耐熱性并提升持續(xù)工作負(fù)載下的性能表現(xiàn)。
通過三星在垂直銅柱堆棧(VCS)方面的創(chuàng)新,DRAM芯片能夠以“階梯”形式堆疊,從而幫助HBM在移動(dòng)設(shè)備的有限空間內(nèi)突破尺寸限制、發(fā)揮性能潛力。據(jù)了解,三星已將垂直銅柱的長(zhǎng)寬比從現(xiàn)有的3-5:1大幅提升至15:1–20:1,但這也導(dǎo)致銅柱直徑相應(yīng)減小。若直徑低于10微米,銅柱可能出現(xiàn)彎曲甚至斷裂的問題,此時(shí)扇出型晶圓級(jí)封裝技術(shù)便可發(fā)揮作用——其通過向外延伸銅線來強(qiáng)化結(jié)構(gòu)完整性,同時(shí)還能增加I/O引腳數(shù)量,實(shí)現(xiàn)約30%的帶寬提升。
目前三星尚未公布這項(xiàng)技術(shù)的具體應(yīng)用時(shí)間。從產(chǎn)品路線推測(cè),它可能會(huì)被集成到未來的Exynos 2800或Exynos 2900處理器中。另有傳聞稱蘋果也在考慮為iPhone引入HBM,但是否采用三星的該項(xiàng)技術(shù)尚未確定??紤]到當(dāng)前DRAM市場(chǎng)的價(jià)格波動(dòng),此類方案的可行性或許要待行情穩(wěn)定后才能進(jìn)一步討論。





























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