有報(bào)道指出，三星、SK海力士和美光等主要DRAM制造商已啟動(dòng)了DDR6的開(kāi)發(fā)，專注于芯片設(shè)計(jì)、控制器驗(yàn)證和封裝模塊的集成。目前，這些廠商已完成DDR6原型芯片的設(shè)計(jì)，并正與英特爾、AMD等平臺(tái)廠商合作進(jìn)行接口測(cè)試。

　　根據(jù)行業(yè)消息，三星、SK海力士和美光近期與基板供應(yīng)商協(xié)調(diào)，推進(jìn)DDR6內(nèi)存模塊的開(kāi)發(fā)，包括厚度、堆疊結(jié)構(gòu)和布線等細(xì)節(jié)。原型產(chǎn)品已在JEDEC固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì)的監(jiān)督下進(jìn)入生產(chǎn)和驗(yàn)證階段。

　　JEDEC于2024年發(fā)布了DDR6的初步草案，在性能和架構(gòu)上實(shí)現(xiàn)重大進(jìn)步。其轉(zhuǎn)向多通道設(shè)計(jì)，采用4×24位子通道，不同于DDR5的2×32位設(shè)置，提升了并行處理、數(shù)據(jù)流和帶寬利用效率，但也對(duì)模塊I/O設(shè)計(jì)和信號(hào)完整性提出更高要求。

　　預(yù)計(jì)DDR6速率將從8.8 Gbps起步，最高可達(dá)17.6 Gbps，甚至可能擴(kuò)展至21 Gbps。同時(shí)，DDR6支持新的CAMM2標(biāo)準(zhǔn)，取代傳統(tǒng)的SO-DIMM和DIMM標(biāo)準(zhǔn)，提供更高帶寬、密度和更低阻抗，并解決了傳統(tǒng)內(nèi)存插槽的物理限制。

　　當(dāng)前，行業(yè)已完成向DDR5的過(guò)渡，去年服務(wù)器市場(chǎng)的占比超80%，今年預(yù)計(jì)達(dá)90%。DDR6標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范的發(fā)布曾因厚度、信號(hào)使用、功率范圍等細(xì)節(jié)未定而延遲，但隨著DRAM制造商加速開(kāi)發(fā)，預(yù)計(jì)2028年至2029年間實(shí)現(xiàn)商業(yè)化應(yīng)用。